TSV關鍵技術突破 3D IC應用動能轉強

作者: 施建宇 / 陳冠能
2014 年 09 月 29 日
採用矽穿孔(TSV)技術的3D IC種類將快速增加。近來國際大廠爭相投注資源於矽穿孔技術研發,並逐步克服製程開發挑戰,為實現3D IC異質元件整合增添強大助力,可望將3D IC的應用由現今CMOS影像感測器擴大至更多領域。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

車載資訊娛樂系統點火 車用半導體需求勁揚

2014 年 08 月 09 日

安全測試標準把關 中功率無線充電加速到來

2014 年 08 月 28 日

物聯網風潮吹起 智慧家庭「錢」景可期

2014 年 10 月 02 日

TDD/FDD融合組網勢起 4G多模多頻手機傾巢出

2014 年 10 月 06 日

穿戴式裝置商機俏 創新應用成市場蓬勃關鍵

2014 年 10 月 13 日

擴大併網/節能效益 PV儲能應用需求起

2014 年 11 月 27 日
前一篇
改善線圈品質因數/電感值 磁共振無線充電效率再提升
下一篇
恩智浦囊括50%安全支付晶片卡市占